Новости

 Фотоприёмная матрица размером 2000 на 2000 элементов, ИФП СО РАН
14.05.2019
Институту физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН — 55 лет

Современное название — Институт физики полупроводников — появилось в 1964 году после объединения Института радиофизики и электроники  СО АН и Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН. До этого в Советском Союзе были только отделы физики полупроводников в нескольких институтах страны. ИФП стал первой научной организацией такого профиля.

Директор ИФП СО РАН академик Александр Латышев: «Мы придумали короткую производственную цепочку для того, чтобы заинтересовать нашими разработками индустриальных партнеров: в ИФП СО РАН создаются технологии и новые материалы для конечных электронных изделий. Например, пластины “кремний на изоляторе” для экстремальной, радиационно стойкой электроники, работающей в космосе, пластины для СВЧ-электроники, в которой используются материалы типа А3В5, фоточувствительный материал для инфракрасных матриц, необходимых в производстве тепловизоров. Мы — единственные в России, кто делает матрицы размером 2 000 на 2 000 пикселей».
Центр полупроводниковых нанотехнологий — проект ИФП СО РАН, подготовленный для программы развития «Академгородок 2.0», — востребован большинством научных организаций Новосибирского научного центра. Основная идея: создать центр коллективного пользования не только с аналитическим, а в первую очередь с высокотехнологичным оборудованием, что позволит ИФП СО РАН и другим участникам обеспечить трансфер технологий от науки в промышленность.