Новости

В Институте физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН прошло торжественное заседание Ученого совета, посвященное столетию со дня рождения основателя Института, академика Анатолия Васильевича Ржанова. 
Директор ИФП СО РАН академик Александр Латышев:  «Юбилей Анатолия Васильевича Ржанова — очень важное для нас событие, потому что его жизненный путь оказал влияние на многих исследователей. Причем не только на тех, кто непосредственно работал с ним, но и на молодых ученых, которые пришли в науку недавно и сейчас работают в институте имени А.В. Ржанова». 
Председатель СО РАН академик Валентин Пармон: «Настоящим бриллиантом в короне новосибирского Академгородка, безусловно, является Институт физики полупроводников. Вы, друзья, сделали огромную работу: не только научную, но и работу на благо обороноспособности нашей страны. <> Мы знаем, что наука в области микро- и наноэлектроники находится в числе наиболее бурно развивающихся отраслей. ИФП СО РАН — один из лучших институтов нашей страны в этой области, и я хотел бы пожелать вам, прежде всего, успехов и продуктивной плодотворной работы». 
Чл.-к. РАН Игорь Неизвестный: «В том далёком 1962 году А.В. Ржанов сформулировал основные направления научной деятельности института: исследование процессов, происходящих на поверхности полупроводника и границе раздела  с внешней средой, исследование тонких полупроводниковых плёнок,  исследование физических основ полупроводниковых приборов. Можно только удивляться и восхищаться прозорливостью Анатолия Васильевича!  Ведь и до сих пор эти положения остаются главными в работе ИФП СО РАН».