Новости

Посвящается Дню Академгородка-2022.

16 сентября 2022 года в 15.00 в малом зале Дома ученых г. Новосибирска состоится лекция для учеников школ Академгородка «Смартфон? Это очень просто» члена-корреспондента РАН Дмитрия Харитоновича Квона, руководителя лаборатории физики низкоразмерных электронных систем Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

КВОН Дмитрий Харитонович
Советский и российский физик, член-корреспондент РАН (2022), руководитель лаборатории физики низкоразмерных электронных систем Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Специалист в области физики конденсированного состояния. Родился 3 ноября 1950 года в поселке Быков, Долинского р-на, Сахалинской области.  Окончил ФФ НГУ (1973), аспирантуру ИФП СО АН СССР (1978). Защитил диссертации: кандидатскую в 1980 году на тему «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах», научный руководитель член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный; докторскую – в 1992 на тему «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе». С 1986 года работает также в НГУ, с 1993 г. – профессор кафедры полупроводников. Научные интересы: изучение квазиклассических и квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур. Научные результаты. Совместно с коллегами обнаружил и исследовал: целый ряд новых явлений в полупроводниковых и металлических низкоразмерных системах и наноструктурах; квантовые интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием; подавление слабой локализации микроволновым полем; стохастическую динамику двумерных электронов; мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическую термоэдс; осцилляции Ааронова-Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах; обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление; эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный - металл-сверхпроводник; рассеяние Ландау в двумерных полуметаллах; магнитный пробой двумерного топологического изолятора; осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением; межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе. Научные результаты Дмитрия Харитоновича признаны у нас в стране и за рубежом. Их индекс цитируемости превышает несколько тысяч. Публикации: автор более 300 научных работ. Член редколлегии журнала Nanomaterials. Подготовил к защите 6 кандидатов и 3 докторов наук