Новости

В городе Нанкине (Китай) прошла двадцать девятая международная конференция по аморфным и нанокристаллическим полупроводникам – ICANS 29. На форуме было представлено более 400 приглашённых, устных и стендовых научных докладов в 11-ти секциях. Среди них — пять пленарных, в том числе традиционная лекция в честь известного ученого, сэра Невилла Мотта, лауреата Нобелевской премии по физике, а также тьюториал из четырёх лекций от ведущих специалистов мира в области аморфных материалов и наноматериалов.

Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) и Новосибирского государственного университета (НГУ) выступили с двумя сообщениями. Приглашенный доклад «Кристаллизация аморфных пленок Si:H с включениями аморфных слоев германия под воздействием фемто- и пикосекундных инфракрасных лазеров» сделал ведущий научный сотрудник ИФП СО РАН, профессор НГУ доктор наук Владимир Алексеевич Володин, а аспирантка В.А. Володина Фань Чжан (Fan Zhang) — устный доклад «Формирование нанокристаллов и аморфных нанокластеров германия в пленках GeSiOx методом электронно-лучевого отжига» на секции «Оксидные материалы и приборы».