Новости
03.04.2024
Разработки новосибирских физиков могут использоваться для создания компьютерной памяти нового поколения
Учёные Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) разработали прототипы мемристоров (элементов памяти) для матриц энергонезависимой памяти большого объёма, определили каким должен быть состав активных слоёв, чтобы получать мемристоры с лучшими характеристиками и предложили неразрушающий метод контроля состава слоев во время их синтеза.