Новости
29.08.2016
В ИФП СО РАН исследуют флеш-память на основе мультиграфена
Согласно результатам, полученным учеными из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах.