Новости

Вакуумный полупроводниковый фотодиод производства ЗАО «Экран ФЭП» и ИФП, способный работать как солнечный элемент и спин-детектор свободных электронов. Справа — полупроводниковая структура с квантовыми ямами (приварена на стекло) толщиной 100 нм для детектирования спина свободных электронов
13.09.2020
ИФП СО РАН и ЗАО «Экран ФЭП» работают над технологической основой электроники будущего

Заведующий лабораторией физики и технологии гетероструктур Института физики полупроводников СО РАН, Профессор РАН Олег Терещенко: «Сейчас мы движемся к созданию спин-транзистора, После будут появляться новые гибридные решения, продолжится развитие цифровых устройств и экосистем с качественно иными возможностями для потребителя. И еще очевидно, что надо торопиться. От времени на поиск и создания продукта зависит, насколько конкурентоспособными будем мы и где будет место нашей страны во всемирной гонке за будущим».