Новости

Заведующий лабораторией ИФП СО РАН к.ф.-м.н. Георгий Сидоров у установки сборки фотоприемных устройств. Фото В. Яковлева
17.09.2020
ИФП СО РАН создает научный и технологический базис для электроники будущего

Директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН академик Александр Латышев: «Развитие цифровой экономики,  роботизации, квантовой криптографии требует от электроники увеличения быстродействия, энергоэффективности, скорости и безопасности передачи данных. Функциональные пределы привычной кремниевой элементной базы скоро будут достигнуты, поэтому сейчас во всем мире идет поиск структур, которые работали бы на новых физических принципах, в частности  ―  с использованием квантовых эффектов. Мы займемся синтезом таких материалов, исследованием их свойств, и наши результаты в дальнейшем могут стать точками роста для электроники будущего». 
В числе участников проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» ― Институт физики микроструктур РАН, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, Новосибирский государственный университет и Санкт-Петербургский государственный университет.