Новости

Полупроводниковая гетероструктура, выращенная на основе твердого раствора Cd-Hg-Te (внешний вид)
14.07.2021
Исследовательская группа из России и Германии, в которую вошли ученые ИФП СО РАН, обнаружила новые особенности протекания фототока в топологических изоляторах

Топологические изоляторы ― соединения, проводящие электрический ток только по своей поверхности. При этом, даже если нарушить ее целостность, это не повлияет на протекание тока. В новой работе ученые установили, что несимметричная фотопроводимость (фототок) возникает на границе топологический изолятор ― прямозонный полупроводник. Ранее считалось, что несимметричная фотопроводимость может возникать на краю топологического изолятора, независимо от состава следующего слоя, например, на границе топологический изолятор ― вакуум. Новые данные важны для понимания физики топологических изоляторов ―  одной из самых горячих тем современной науки.

Результаты работы сотрудников Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова, Физического института имени П. Н. Лебедева РАН, Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, Регенсбургского университета (Германия)  опубликованы в журнале Scientific Reports. Исследование поддержано грантом Российского научного фонда. Работа продолжает предыдущие исследования, проведенные этой группой коллабораторов.