Новости

Оборудование, приобретенное ИФП СО РАН ранее на средства гранта Минобрнауки РФ: фотоэлектронный спектрометр для исследования электронной структуры кристаллов методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением (ARPES). Фото Н. Дмитриевой
19.01.2023
ИФП СО РАН приобретет новое оборудование на средства гранта Минобрнауки

Размер субсидии из  федерального бюджета, выделенной Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН на обновление приборной базы в этом году — 113,5 млн рублей. ИФП СО РАН рассчитывает приобрести несколько единиц высокотехнологичного оборудования, самой масштабной закупкой будет установка для производства жидкого азота вместе с системой автоматической подачи. Также Институт запланировал покупку атомно-силового микроскопа, сканирующего электронного микроскопа, 3D профилометра — конфокального микроскопа для высокоточного измерения профиля поверхности, шероховатости поверхности и пленок, трехканальной системы СДОМ 3/100-2М предназначенной для термической обработки полупроводниковых пластин.

«Мы надеемся, что установка для производства жидкого азота позволит покрыть все потребности Института в этом веществе. Жидкий азот используется при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Например, в термостатированном корпусе ИФП СО РАН функционируют три установки МЛЭ и чтобы обеспечить их одновременную работу, нужна автоматическая система подачи сжиженного газа. Такую систему мы тоже планируем купить на средства гранта», — пояснил заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Германович Милёхин.