Новости

В ходе двухдневной научной сессии Общего собрания РАН исследователи со всей России обсуждали наиболее актуальные и перспективные работы, которые помогут решить задачи развития науки и промышленности РФ. Среди этих проектов отмечены результаты сибирских ученых.

Президент РАН академик Геннадий Яковлевич Красников упомянул в докладе, посвященном развитию микроэлектроники, работы Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, связанные с ионной имплантацией (введением примесей в поверхностный слой полупроводника).

Также в выступлениях высокую оценку получили работы Института нефтегазовой геологии и геофизики им. А.А. Трофимука СО РАН, Института химии и химической технологии ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН», Института химии твердого тела и механохимии СО РАН, Института теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, НИИ терапии и профилактической медицины — филиала ФИЦ «Институт цитологии и генетики СО РАН», НИИ онкологии Томского национального исследовательского медицинского центра РАН, НИИ комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний.