Новости

В ходе рабочего визита в Новосибирск президент РАН академик Геннадий Красников посетил Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Он познакомился с основными направлениями работы НИИ, включая флагманское — метод молекулярно-лучевой эпитаксии — оптимальный для создания новых полупроводниковых материалов с контролируемой точностью. Ученые Института рассказали о прикладных и фундаментальных разработках, связанных с созданием приборных структур и электронной компонентной базы для СВЧ-электроники и фотоники, спинтроники, приборостроением, а также сенсорных технологий для оценки состояния здоровья человека.