Новости

Размер субсидии из  федерального бюджета, выделенной Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН на обновление приборной базы в этом году — 113,5 млн рублей. ИФП СО РАН рассчитывает приобрести несколько единиц высокотехнологичного оборудования, самой масштабной закупкой будет установка для производства жидкого азота вместе с системой автоматической подачи. Также Институт запланировал покупку атомно-силового микроскопа, сканирующего электронного микроскопа, 3D профилометра — конфокального микроскопа для высокоточного измерения профиля поверхности, шероховатости поверхности и пленок, трехканальной системы СДОМ 3/100-2М предназначенной для термической обработки полупроводниковых пластин.

«Мы надеемся, что установка для производства жидкого азота позволит покрыть все потребности Института в этом веществе. Жидкий азот используется при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Например, в термостатированном корпусе ИФП СО РАН функционируют три установки МЛЭ и чтобы обеспечить их одновременную работу, нужна автоматическая система подачи сжиженного газа. Такую систему мы тоже планируем купить на средства гранта», — пояснил заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Германович Милёхин.