ИСЭ СО РАН | Сибирское отделение Российской академии наук (СО РАН)

ИСЭ СО РАН

Институт сильноточной электроники СО РАН

Юридическое название организации:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук

Физические науки

ИСЭ СО РАН

634055, Томск, пр. Академический, 2/3

Тел.:+7(382-2) 49-15-44

Факс:+7(382-2) 49-24-10

E-mail:contact@hcei.tsc.ru

WWW:http://www.hcei.tsc.ru

Дата редактирования информации: 26.11.2024

Скрыть Основные направления научной деятельности

фундаментальные проблемы физической электроники, в том числе сильноточной электроники и разработка на их основе новых приборов, устройств и технологий;

современные проблемы физики плазмы, включая физику низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах.

Скрыть Историческая справка

По результатам оценки результативности научных организаций присвоена 2-я категория (приказ ФАНО России № 157 от 30.03.2018).

10 декабря 2020 года д.ф.-м.н. Илья Викторович Романченко избран директором института Института сильноточной электроники СО РАН.

Администрация и сотрудники

Перейти на страницу

Научные организации СО РАН в Томске

Администратор базы данных: Рычкова Елена Владимировна, e-mail: helen@ict.nsc.ru